广东【引言】拓宽能量来源是本世纪科学研究的一大重要课题。

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图3分子动力学模拟结果及硅的溶解机制示意图相反的，力负理系n型薄膜单晶硅在生理环境条件下的溶解未呈现出明显尺寸效应，力负理系且机械搅拌会导致溶解速率增加。硅作为传统电子器件中一种重要的半导体材料，荷管具有电学性能稳定的特点，荷管近期研究表明硅薄膜具有良好的生物相容性，可以在仿生溶液中发生降解，且其降解速率受温度、pH值和溶液中离子种类等的影响，因此，硅薄膜在寿命可调的植入式瞬态电子器件领域扮演着非常重要的角色。在此基础上，广东通过对几何形状的设计，实现了对体内信号探测用薄膜硅电极寿命的调控，为体内植入式瞬态电子器件的寿命调控开辟了新途径。

Zeta电位的结果证明了功函数相对较低的n型硅在缓冲溶液中由于费米能级向上弯曲造成其表面带正电，省新而分子动力学的计算结果表明离子在表面带正电的硅表面没有明显的富集效应，省新因此不同尺寸的n型硅溶解速率没有明显的差异。图1 p型硅和n型硅表面离子状态示意图【成果简介】近日，型电清华大学材料学院尹斓助理教授团队系统的研究了生物体系中所包含化学物质（浓度和pH接近生理环境）对不同尺寸薄膜单晶硅溶解速率的影响，型电研究结果发现，在生理环境条件下，p型薄膜单晶硅的溶解均具有与传统认知相反的尺寸效应，即溶解速率随着单晶硅尺寸的增加而增大。

而当阴离子浓度和种类相同的情况下，力负理系磷酸根离子较氯离子对硅溶解速率的促进作用更强。

此外，荷管通过对阳离子和阴离子分别对硅溶解速率的影响研究，发现当阴离子浓度和种类相同的条件下，与钠离子相比，钾离子离子会加速硅溶解过程。广东作者发现在UiO-66中同时存在一类配体缺失缺陷（missing-linkerdefect）和两类团簇缺失缺陷（missing-clusterdefect）。

由于MOF结构易损，省新直接探测MOF晶体中缺陷的类型、分布和演化非常困难。在高质量的HRTEM图像的基础上，型电配体缺失缺陷的三维结构得以被重构，所有结构组分都得到明确解析。

本文将最近开发的低剂量HRTEM技术与电子晶体学结合起来，力负理系通过实空间直接成像研究MOF中的缺陷。荷管（c）N2吸附等温线和两种材料的衍生孔径分布曲线（插图）。